据DigiTimes发布,长鑫存储在合肥的新工厂已经开始量产采用18.5nm工艺的DRAM芯片,第一期生产线已经接近满负荷运转,初始的月产能已达到10万片晶圆。长鑫存储即将进行第二阶段产能提升,到2024年底,每月产能还会增加4万片晶圆。这意味着,长鑫存储在全球范围内DRAM总产能的占比将达到10%。此外,长鑫存储计划为新的扩产大幅增加国内采购。
相比之下,主攻NAND闪存芯片的长江存储(YMTC)在产能提升方面受到全面的限制,本土化供应链具有较大的挑战性。不过长江存储在技术研发上依然取得进步,比如高层数的NAND闪存,同时还推出了新款120层产品,绕过了128层的限制,开辟了一条可行的道路。产能扩张依然是长江存储最大的障碍,可能还会持续一段时间。
目前长鑫存储和长江存储以不同的策略应对外部环境限制,加速新技术和新产品的开发。
