微纳加工按技术分类，主要分为平面工艺、探针工艺、模型工艺。
探针工艺是利用微纳米探针加工出器件的结构形貌，主要包括扫描隧道显微探针，原子力显微探针等固态形式的探针和聚集粒子束、飞秒激光技术等非固态形式的探针。
模型工艺主要是利用微纳米尺寸的模具复制出相应的器件形貌，主要是纳米压印技术和塑料模压技术。
本文主要介绍微纳加工的平面工艺，平面工艺主要可分为薄膜工艺、图形化工艺、刻蚀工艺。
在微纳加工过程中，薄膜的形成方法主要为物理沉积、化学沉积和混合方法沉积。蒸发沉积（热蒸发、电子束蒸发）和溅射沉积是典型的物理方法，主要用于沉积金属单质薄膜、合金薄膜、化合物等。热蒸发是在高真空下，利用电阻加热至材料的熔化温度，使其蒸发至基底表面形成薄膜，而电子束蒸发为使用电子束加热；磁控溅射在高真空，在电场的作用下，Ar气被电离为Ar离子高能量轰击靶材，使靶材发生溅射并沉积于基底；磁控溅射方法沉积的薄膜纯度高、致密性好，热蒸发主要用于沉积低熔点金属薄膜或者厚膜；化学气相沉积（CVD）是典型的化学方法而等离子体增强化学气相沉积（PECVD）是物理与化学相结合的混合方法，CVD和PECVD用于生长氮化硅、氧化硅等介质膜。
等离子体增强化学气相沉积（PECVD）
低压化学气相沉积
光刻是微纳加工技术中最关键的工艺步骤，光刻的工艺水平决定产品的制程水平和性能水平。光刻的原理是在基底表面覆盖一层具有高度光敏感性光刻胶，再用光线（一般是紫外光、深紫外光、极紫外光）透过光刻板照射在基底表面，被光线照射到的光刻胶会发生反应。此后用显影液洗去被照射/未被照射的光刻胶， 就实现了图形从光刻板到基底的转移。
光刻胶分为正性光刻和负性光刻两种基本工艺，区别在于两者使用的光刻胶的类型不同。负性光刻使用的光刻胶在曝光后会因为交联而变得不可溶解，并会固化，不会被溶剂洗掉，从而该部分硅片不会在后续流程中被腐蚀掉，负性光刻光刻胶上的图形与掩模版上图形相反。
刻蚀是通过化学或物理的方法有选择地从基底表面除去不需要材料的过程，通过刻蚀能在基底构建预想的器件。刻蚀分为干法刻蚀和湿法刻蚀两种。干法刻蚀是将基底表面暴露在惰性气体中，通过气体产生的等离子体轰击光刻胶开出的窗口，与基底发生反应去掉暴露的表面材料，是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法。湿法刻蚀使用液态化学剂（酸、碱、有机溶剂等）用化学方式去除基底表面的材料，一般只用于尺寸较大的情况。
微纳加工技术具有高精度、科技含量高、产品附加值高等特点，能突显一个国家工业发展水平，在推动科技进步、促进产业发展、提升生活品质等方面都发挥着重要作用。
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